Da elektronische Systeme hinsichtlich Leistungsdichte, Miniaturisierung und Wärmeleistung immer neue Grenzen erreichen, ist die Wahl des Substratmaterials zu einem der entscheidendsten Faktoren im Leiterplattendesign geworden. Für Anwendungen, die unter extremen Bedingungen funktionieren müssen – sei es in der Luft- und Raumfahrt, bei Leistungsmodulen für Elektrofahrzeuge oder in der Medizintechnik – bieten Keramik-Leiterplatten eine überlegene Alternative zu herkömmlichen FR-4- oder Metallkern-Leiterplatten.
Mit Wärmeleitfähigkeiten von bis zu 220 W/m·K (gegenüber 0,25 W/m·K bei FR-4) und einer Betriebssicherheit von –55 °C bis 800 °C bieten Keramiksubstrate eine unübertroffene Leistung für Hochleistungs-, Hochfrequenz- und hochzuverlässige Elektronik.
Keramik ist jedoch nicht gleich Keramik. Die drei Hauptwerkstoffe – Aluminiumoxid (Al₂O₃), Aluminiumnitrid (AlN) und Siliciumcarbid (SiC) – weisen jeweils einzigartige physikalische, thermische und elektrische Eigenschaften auf, die Kosten, Verarbeitbarkeit und Leistung beeinflussen.
In diesem Leitfaden erfahren Sie, wie Sie das richtige Material für Ihre Keramik-Leiterplattenanwendung auswählen und welche Kompromisse Sie dabei berücksichtigen sollten.
Keramische Substrate erfüllen drei wesentliche Zwecke im Hochleistungs-Leiterplattendesign:
Wärmeleitung – Effiziente Wärmeabfuhr von Leistungselektronikgeräten zur Aufrechterhaltung sicherer Betriebstemperaturen.
Elektrische Isolierung – Verhinderung von Lichtbögen oder Leckströmen in Hochspannungs- und Hochfrequenzstromkreisen.
Mechanische Stabilität – Gewährleistet Steifigkeit, Maßgenauigkeit und Widerstandsfähigkeit gegenüber Umwelteinflüssen.
Diese Eigenschaften machen keramische Leiterplatten unverzichtbar für Branchen wie die Leistungselektronik in der Automobilindustrie, Systeme für erneuerbare Energien, Hochfrequenzkommunikation und Medizintechnik.
Aluminiumoxid ist das am weitesten verbreitete Keramiksubstrat in der Leiterplattenherstellung. Es bietet ein optimales Verhältnis zwischen Kosten, mechanischer Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit.
Wichtigste Eigenschaften:
Wärmeleitfähigkeit: 18–30 W/m·K
Dielektrizitätskonstante: 9,8
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE): 6–8 ppm/°C
Maximale Betriebstemperatur: ~350 °C
Vorteile:
Ausgezeichnete mechanische Festigkeit und Härte.
Stabile elektrische Isolierung.
Hohe Chemikalienbeständigkeit und Korrosionsschutz.
Kostengünstig und leicht verfügbar.
Anwendungsbereiche:
LED-Beleuchtungsmodule.
Sensor- und Steuerschaltungen.
Medizinische Instrumente, die Sterilisationsbeständigkeit erfordern.
Allgemeine Industrieelektronik.
Einschränkungen:
Al₂O₃ ist zwar langlebig und vielseitig, weist aber im Vergleich zu AlN oder SiC eine relativ geringe Wärmeleitfähigkeit auf, wodurch es sich weniger für Anwendungen mit extremer Hitze oder hoher Leistung eignet.
Aluminiumnitrid (AlN) hat sich rasant zum bevorzugten Substrat für Hochleistungs- und Hochfrequenzanwendungen entwickelt. Es vereint hervorragende elektrische Isolation mit einer Wärmeleitfähigkeit von bis zu 220 W/m·K, die sich der von Metallen annähert, und bietet gleichzeitig die Vorteile von Keramik.
Wichtigste Eigenschaften:
Wärmeleitfähigkeit: 140–220 W/m·K
Dielektrizitätskonstante: 8,8
Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE): 4,5 ppm/°C
Maximale Betriebstemperatur: ~600 °C
Vorteile:
Überlegene Wärmeableitung für Geräte mit hohem Strombedarf oder hoher Leistungsdichte.
Geringe dielektrische Verluste und hoher elektrischer Widerstand.
Optimale Anpassung des Wärmeausdehnungskoeffizienten an Siliziumchips – Minimierung der thermischen Belastung.
Ausgezeichnete Dimensionsstabilität und Zuverlässigkeit.
Anwendungsbereiche:
Leistungsmodule und Umrichter in Elektrofahrzeugen und industriellen Antrieben.
HF- und Mikrowellenschaltungen für 5G- und Satellitensysteme.
LED-Module und Laserdioden.
Hochpräzisionsinstrumente.
Einschränkungen:
Höhere Fertigungskomplexität.
Spröder als Al₂O₃.
Für Anwendungen, bei denen Wärmemanagement und elektrische Leistung von entscheidender Bedeutung sind, bietet AlN die beste Kombination aus Zuverlässigkeit und Leitfähigkeit.
Siliziumkarbid (SiC) zeichnet sich durch seine mechanische Robustheit, chemische Inertheit und hohe thermische Belastbarkeit aus. Es findet Anwendung in anspruchsvollsten Umgebungen, darunter Luft- und Raumfahrt, Militär und die Gehäusefertigung von Leistungshalbleitern.
Wichtigste Eigenschaften:
Wärmeleitfähigkeit: 120–180 W/m·K
Dielektrizitätskonstante: ~10
Wärmeausdehnung (CTE): ~4 ppm/°C
Maximale Betriebstemperatur: 800 °C+
Vorteile:
Außergewöhnliche Hochtemperaturbeständigkeit.
Hohe mechanische und chemische Festigkeit.
Ideal für extreme Bedingungen – Vibrationen, Strahlung und korrosive Einwirkung.
Kompatibel mit Halbleitern mit großer Bandlücke (SiC, GaN).
Anwendungsbereiche:
Elektronik für Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung.
Leistungswandler für erneuerbare Energiesysteme.
Sensoren zur Überwachung von Motor und Turbine.
Industrieautomatisierungssysteme für raue Umgebungen.
Einschränkungen:
Aufgrund der Härte schwer zu verarbeiten.
Höhere Kosten und eingeschränkte kommerzielle Verfügbarkeit im Vergleich zu Al₂O₃ oder AlN.
Eigentum | Al₂O₃ (Aluminiumoxid) | AlN (Aluminiumnitrid) | SiC (Siliciumcarbid) |
Wärmeleitfähigkeit (W/m·K) | 18–30 | 140–220 | 120–180 |
Dielektrizitätskonstante | 9,8 | 8.8 | 10 |
CTE (ppm/°C) | 6–8 | 4,5 | 4.0 |
Maximale Betriebstemperatur (°C) | ~350 | ~600 | 800+ |
Mechanische Festigkeit | Exzellent | Mäßig | Hervorragend |
Kosteneffizienz | Hoch | Medium | Niedrig |
Typische Anwendungen | LEDs, Sensoren | Leistungsmodule, 5G | Luft- und Raumfahrt, Energiesysteme |
Anwendung | Empfohlenes Material | Grund |
LED-Beleuchtung | Al₂O₃ | Zuverlässige und kostengünstige Wärmeableitung. |
EV-Leistungsmodule | AlN | Hohe Wärmeleitfähigkeit und elektrische Isolation. |
5G-Funksysteme | AlN | Niedriger Verlustfaktor und stabiles Hochfrequenzverhalten. |
Luft- und Raumfahrtelektronik | SiC | Außergewöhnliche Temperatur- und Vibrationsbeständigkeit. |
Medizinprodukte | Al₂O₃ oder AlN | Biokompatibilität und Sterilisationsresistenz. |
Wechselrichter für erneuerbare Energien | AlN oder SiC | Verträgt hohe Ströme und schwankende Lasten. |
Bei der Wahl des geeigneten Substrats sind Faktoren wie Wärmebelastung, Spannungspegel, Umgebungsbedingungen und mechanische Beanspruchung zu berücksichtigen. In den meisten Fällen bietet Al₂O₃ einen kostengünstigen Einstieg, AlN bietet erstklassige Wärmeleistung und SiC ist für die anspruchsvollsten Betriebsbedingungen reserviert.
Die Wahl des Substrats ist nur die halbe Miete – das Herstellungsverfahren bestimmt die Leistungsfähigkeit der fertigen Platine.
Direktgebundenes Kupfer (DBC): Ideal für hochstromfähige AlN- und SiC-Leiterplatten.
Direktplattiertes Kupfer (DPC): Ermöglicht dünne, hochpräzise Schaltungen auf Keramik.
Dickschichtdruck: Geeignet für Hybridschaltungen auf Al₂O₃.
Benlida Circuit bietet mit seinen fortschrittlichen Fertigungskapazitäten für DBC und DPC maßgeschneiderte Keramik-Leiterplattenlösungen für verschiedene Branchen – und vereint dabei Leistung, Kosten und Skalierbarkeit.
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Das ideale Keramiksubstrat hängt von der Leistungsdichte Ihres Projekts, den Umgebungsbedingungen und den Leistungserwartungen ab.
Wählen Sie Al₂O₃ für kostengünstige Allzwecklösungen.
Entscheiden Sie sich für AlN, wenn überlegene Wärmeableitung und Stabilität erforderlich sind.
SiC eignet sich für extreme Umgebungen oder Anwendungen in der Luft- und Raumfahrt.
Ganz gleich, wofür Sie sich entscheiden, Keramik-Leiterplatten repräsentieren die nächste Generation der Zuverlässigkeit und Leistungsfähigkeit in der Elektronik – und ermöglichen sicherere, effizientere und kompaktere Designs.
Benlida Circuit ist weiterhin führend in der Herstellung von Keramik-Leiterplatten und bietet maßgeschneiderte Lösungen, die Materialexpertise mit fortschrittlicher Prozesstechnologie verbinden.